一种大规格陶瓷墙板的制造方法
本发明公开了一种大规格陶瓷墙板及制造方法。本发明是以建筑陶瓷行业的废料包括抛光废渣、水煤浆渣、煤渣、清沟泥等和粘土作为原料，经球磨、过筛除铁、喷雾干燥、成形、干燥、烧成、抛光或不抛光、磨边工序而成。其特征在于，原料配方中废料比例为70%～82％，粘土比例为18％～30％，其中废料中抛光废渣比例40％～75％；采用1050mm×2060mm大规格双模压机成形，坯体表面可以辅以渗花或印花，经1090～1200℃高温烧结而成，产品规格最大可达1100mm×2100mm，容重为0.7～1.4g/cm3；所述原料配方化学组成为：SiO250％～70％、Al2O318％～28％、Fe2O3+TiO21％～5 ％、CaO1％～7％、MgO1％～7％、K2O+Na2O2％～6％。产品装饰效果丰富，具有轻质、隔热保温、防火、隔音等功能。
专利号：201010509678.4
低温、无铅、近零膨胀微晶陶瓷涂层的制备方法
本发明涉及一种低温、无铅、近零膨胀微晶陶瓷涂层的制备方法，将低温熔块2、锂辉石熔体或锂霞石熔体中的一种或两种任意比例与低温熔块1、钨酸锆粉体、添加剂1或添加剂2中的一种或两种或三种任意比例和成核剂干混均匀，置于马弗炉中于950~1200℃下熔制，保温0.5~1h；熔制好的玻璃液浇注于事先预热的不锈钢板上，然后置于560~650℃的马弗炉中继续升温至750℃，保温1~4h，自然冷却至室温，粉碎后得复合陶瓷粉；将复合陶瓷粉加入塑性剂、去离子水配成料浆，涂敷在基体表面，经600~650℃下烧结获得复合无机微晶陶瓷涂层。本发明获得的涂层材料防水、无铅，可低温使用且线膨胀系数接近零。
专利号：201010533239.7
一种稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法
本发明涉及一种稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法。采用纯度在99.99％以上的商品粉Y2O3、Al2O3、Re2O3为主要原料，采用喷雾造粒干压成形工艺，真空反应烧结制备高透明多晶陶瓷。其中Re为三价稀土元素如Nd3+、Yb3+、Cr3+、Er3+、Ce3+、Sm3+、Eu3+其中的一种或数种。MgO或CaO或TEOS或SiO2作为烧结助剂；同时添加一定量的粘结剂、增塑剂、分散剂，将上述氧化物、烧结助剂及添加剂混合添加到液体介质中球磨混合0.5～100h。粉料混合均匀后，经喷雾造粒粉体为球形或近似球形颗粒，之后将干压加冷等静压成形的素坯脱脂，然后在真空烧结炉中烧结，烧结后再退火处理。本发明提供的稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷在激光波长的透过率≥77％。
专利号：200910112277.2
一种陶瓷砖生产过程中的固体废料回收方法
本发明公开了一种陶瓷砖生产过程中的固体废料回收方法，包括收集废粉料和废坯体形成的泥屎、收集废陶瓷砖、原料加工工序产生的固体废料随着污水汇流入污水池并经沉淀形成的污泥渣，以及收集陶瓷砖产品生产加工过程中形成的固体废料；该固体废料包括抛光废渣、废陶瓷渣、磨边废渣、刮平废渣、精磨边废渣、倒角废渣。上述方法解决了陶瓷砖生产过程中的固体废料分类回收及合理利用问题，成本低，利用率高。
专利号：201010522393.4
催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法
本发明涉及一种催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法，包括原料混合处理及催化氮化反应步骤，是对现有技术的改进。本发明选择FeCl3·6H2O作为催化剂，以Si3N4粉为稀释剂，氮气气氛条件下，在1350～1450℃范围内催化氮化工业Si粉，制得纯度为99.4wt％～99.8wt％，α相氮化硅含量为92wt％～95wt％的氮化硅粉体。本发明生产工艺简单，对设备要求低，易批量生产，是一种简易高效的氮化方法。
专利号：201010556455.3
采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法
采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，涉及一种陶瓷基片。提供一种采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法。氮化铝陶瓷基片的原料组成及其按质量百分比的含量为：氮化铝93％～98％，三氧化二钇2％～7％。在纳米或亚微米AIN粉体中，添加纳米或亚微米Y2O3，经干法球磨混合均匀，得混合粉体；使用模压机将混合粉体成型，得混合粉体坯；将混合粉体坯烧结；将烧结后的混合粉体坯切片，再经打磨抛光处理后，得氮化铝陶瓷基片。工艺生产步骤大大简化，减少排胶、等静压工序，消除粘合剂等残留物对品质的影响，品质稳定，致密性好，成品率高。
专利号：201010531720.2